Samsung – memorie Flash de 4 ori mai rapidă pentru telefoane

Samsung a demarat producția de masă pentru o nouă generație de chip-uri NAND flash, dedicate folosirii în telefoane mobile. Noile memorii sunt de 4 ori mai rapide decât cele întâlnite în actuala generație de tablete și telefoane inteligente, atingând chiar și 140 MB/s la citirea datelor.

Noile chip-uri Samsung sunt dotate cu propriul controller de memorie și celule MLC Nand Flash cu tehnologie toggle DDR 2.0, proiectate pentru o lățime de bandă teoretică de 200 MB/s. Memoriile sunt produse folosind litografie pe 20 nm și disponibile în versiuni cu capacități de 16 GB, 32 GB și 64 GB.

Citește mai departe pe go4it.ro